特許
J-GLOBAL ID:201003062083196590
光起電力発生装置及びその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十嵐 省三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-266124
公開番号(公開出願番号):特開2010-098033
出願日: 2008年10月15日
公開日(公表日): 2010年04月30日
要約:
【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。【解決手段】サファイア基板1上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル2-1、2-2、...、2-7が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するn型GaN層21、n型GaNバッファ層21上に形成されたn型InAlGaN層22及びp型InAlGaN層23よりなる。InAlGaN層22、23の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル2-1、2-2、...、2-7は出力端子OUT1、OUT2間にボンディングワイヤ3-0、3-1、...、3-7によって直列に接続されて太陽電池として作用する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、
該基板上に横方向に形成された異なるバンドギャップを有する複数のpn接合素子あるいはpin接合素子と
を具備する光起電力発生装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/04 E
, H01L31/08 K
Fターム (32件):
5F051AA08
, 5F051CB12
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051EA02
, 5F051EA20
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F088AA02
, 5F088AA03
, 5F088AB07
, 5F088BA18
, 5F088BB06
, 5F088CB04
, 5F088DA01
, 5F088EA03
, 5F088EA14
, 5F088FA03
, 5F088FA04
, 5F088GA02
, 5F151AA08
, 5F151CB12
, 5F151DA03
, 5F151DA04
, 5F151DA20
, 5F151EA02
, 5F151EA20
, 5F151FA03
, 5F151FA04
, 5F151GA03
引用特許: