特許
J-GLOBAL ID：200903024663461658

TFT基板及びTFT基板の製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-349374
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157916
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、かつ、製造歩留りを向上させることが可能なTFT基板及びTFT基板の製造方法の提案を目的とする。【解決手段】ガラス基板10と、ゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート絶縁膜30と、n型酸化物半導体層40と、酸化物導電体層60を具備し、チャンネル部41を保護するチャンネル部用エッチストッパー53と、酸化物導電体層60を有する、ソース配線65,ドレイン配線66,ソース電極63,ドレイン電極64及び画素電極67とを備えている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成されたゲート電極及びゲート配線と、前記ゲート電極及びゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜と、少なくとも前記ゲート電極上のゲート絶縁膜上に形成された第一の酸化物層と、前記第一の酸化物層上にチャンネル部によって隔てられて形成された第二の酸化物層を具備したTFT基板であって、 前記第一の酸化物層上に形成され、前記チャンネル部を保護するチャンネル部用エッチストッパーを備えたことを特徴とするTFT基板。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345
Fターム (54件)：
2H092GA42 ,  2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092JB24 ,  2H092KA01 ,  2H092KA12 ,  2H092KA15 ,  2H092KA18 ,  2H092KB01 ,  2H092KB04 ,  2H092KB11 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA20 ,  2H092MA41 ,  2H092NA17 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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