特許
J-GLOBAL ID:201003064949305729
ポジ型レジスト組成物、高分子化合物およびレジストパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-262795
公開番号(公開出願番号):特開2010-091858
出願日: 2008年10月09日
公開日(公表日): 2010年04月22日
要約:
【課題】優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖にノルボルナンラクトン構造を有する構成単位(a0)、および前記構成単位(a0)に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)、および前記構成単位(a0)に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 220/28
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C08F220/28
, H01L21/30 502R
Fターム (29件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15Q
, 4J100BC08P
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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