特許
J-GLOBAL ID：201003068595363756

FIB-SEM複合装置

発明者：
大井 將道

大井 將道 について

, 
小川 貴志

小川 貴志 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-117178
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177217
出願日： 2010年05月21日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】本発明が解決しようとする課題は、FIB鏡筒とSEM鏡筒を備えたシステムにおいて、FIB加工を実行している過程をリアルタイムでSEM観察する際に、FIB照射によって放出される二次電子がSEM検出信号のノイズとならないようなシステムを提供することにある。【解決手段】本発明はFIB鏡筒と、SEM鏡筒を備えた複合装置において、FIB用のアパーチャに加工形状のスリットを備えることにより、集束したイオンビームの走査ではなく試料面にパターンを転写することによりイオンビーム加工するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
試料にイオンビームを照射するFIB鏡筒と、試料のイオンビームを照射する領域に電子ビームを走査照射するSEM鏡筒と、試料から放出された二次電子を検出する二次電子検出器とを有するFIB-SEM複合装置において、 前記試料を所望の形状に加工するためのスリットを有するFIB用のアパーチャと、 前記イオンビームと前記電子ビームとを照射することにより前記試料から放出された二次電子の前記二次電子検出器から出力された検出信号からイオンビーム照射によるノイズレベルを補正するノイズレベル調整回路と、を有するFIB-SEM複合装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/28
FI (3件)：
H01J37/317 D ,  H01J37/09 A ,  H01J37/28 B
Fターム (5件)：
5C033BB02 ,  5C033BB06 ,  5C033BB09 ,  5C033UU04 ,  5C034DD09
引用特許：
審査官引用 (7件)
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