特許
J-GLOBAL ID：201003068674877986
半導体膜の成膜方法および光電変換装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-110662
公開番号（公開出願番号）：特開2010-262976
出願日： 2009年04月30日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマCVD法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、SiGe系化合物の非晶質膜またはSiGe系化合物の微結晶膜であり、プラズマCVD法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間/(オン時間+オフ時間)×100(%)をDuty比とすると、該Duty比が10%以上50%以下を満たす範囲であることを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体膜をプラズマCVD法により製造する工程を含む半導体膜の成膜方法であって、
前記プラズマCVD法により製造する半導体膜は、SiGe系化合物の非晶質膜またはSiGe系化合物の微結晶膜を含み、
前記プラズマCVD法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、前記半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、
前記電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間/(オン時間+オフ時間)×100(%)をDuty比とすると、該Duty比が10%以上50%以下を満たす範囲において変化させる、半導体膜の成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (28件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA12
, 5F051BA14
, 5F051CA15
, 5F051CA22
, 5F051CA34
, 5F051DA04
, 5F051DA15
, 5F051DA20
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F151AA04
, 5F151AA05
, 5F151BA12
, 5F151BA14
, 5F151CA15
, 5F151CA22
, 5F151CA34
, 5F151DA04
, 5F151DA15
, 5F151DA20
, 5F151FA02
, 5F151FA03
, 5F151FA06
, 5F151GA03
