特許
J-GLOBAL ID：201003070244868791

不揮発性メモリ素子及びその製造方法

発明者：
李 正賢

李 正賢 について

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金 榮一

金 榮一 について

, 
李 昌洙

李 昌洙 について

, 
馬 東俊

馬 東俊 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-029189
公開番号（公開出願番号）：特開2010-187001
出願日： 2010年02月12日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：
【課題】不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ素子及びその製造方法が提供される。本発明の不揮発性メモリ素子は、基板と、互いに対向するように垂直伸張する第1部及び第2部と、前記第1部及び第2部を連結する底部とを前記基板上に含む半導体構造物と、前記半導体構造物の前記第1部及び第2部に沿って離隔配置されて互いに直列に連結された複数のメモリセルと、を含む。本発明の不揮発性メモリ素子の製造方法は、互いに対向するように垂直伸張する第1部及び第2部と、前記第1部及び第2部を連結する底部と、を基板上に含む半導体構造物を前記基板上に形成する段階と、前記半導体構造物の前記第1部及び第2部に沿って離隔配置され、互いに直列に連結された複数のメモリセルを形成する段階と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 互いに対向するように垂直伸張する第1部及び第2部と、前記第1部及び第2部を連結する底部とを前記基板上に含む半導体構造物と、 前記半導体構造物の前記第1部及び第2部に沿って離隔配置されて互いに直列に連結された複数のメモリセルと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (42件)：
5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER23 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR33 ,  5F101BA07 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH11 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16
引用特許：
審査官引用 (7件)
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