半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-200319
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311673
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、nチャネル型電界効果トランジスタと、pチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記各トランジスタは、ゲート電極を内包し、ソース・ドレインの領域に隣接する位置まで伸びた絶縁膜を備え、上記絶縁膜は窒化珪素を主成分とし、上記nチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚と上記pチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚とは、相違することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/283 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/78 , H01L 27/08 , H01L 21/768

FI (12件)：

H01L27/08 321D , H01L21/283 C , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 301N , H01L27/08 321F , H01L29/78 301S , H01L29/78 301R , H01L27/08 331A , H01L27/08 321E , H01L21/90 C

Fターム (158件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE11 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE20 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK07 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL01 , 5F033LL06 , 5F033LL08 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ35 , 5F033QQ59 , 5F033QQ61 , 5F033QQ62 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR12 , 5F033RR15 , 5F033RR20 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT00 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX19 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BF32 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BF37 , 5F140BF51 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG33 , 5F140BH02 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BJ28 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CC16

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-145533 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013607 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (19件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-354846 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-011913 出願人：日本電気株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-072278 出願人：三洋電機株式会社

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