プロービング装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-203282
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040856
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】半導体ウエハの製造工程でプロービング装置によってウエハの電気的特性を測定(プロービング検査)する場合、半導体ウエハを載置するプロービングステージは平板状である。このため、半導体チップが配列する素子形成部のみが薄化され周辺部に初期の厚みが残った凹型形状の半導体ウエハについては、従来のプロービングステージに載置することができず、プロービング検査ができない問題があった。【解決手段】一般的な平板状のプロービングステージ(第1のプロービングステージ)上に、第1搭載部と第1搭載部より突出した第2搭載部からなる凸型形状のプロービングステージ(第2のプロービングステージ)を配置する。これにより、凹型形状のウエハを凸型形状のプロービングステージとかみ合わせるように搭載できる。従って、素子形成部のみ薄化した半導体ウエハであっても十分に支持固定することができ、プロービング検査を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面に複数の半導体チップが配列する素子形成部と該素子形成部の外周を囲み該素子形成部より厚い周辺部とを有する半導体ウエハの電気的特性を測定するプロービング装置であって、中心付近と周辺付近の厚みが略均一な第1のプロービングステージと、該第1のプロービングステージ上に配置され、前記周辺部が載置される第1搭載部と、該第1搭載部の内側で該第1搭載部より突出し前記素子形成部が載置される第2搭載部とを有する第2のプロービングステージと、前記半導体ウエハの電極に接触するプローブ針と、前記第2のプロービングステージおよび/または前記プローブ針の移動を制御する制御部と、を具備することを特徴とするプロービング装置。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (2件)：

H01L21/66 D , H01L21/66 B

Fターム (6件)：

4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106CA01 , 4M106DJ02 , 4M106DJ32

引用特許：

出願人引用 (2件)

プローバ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-151503 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140475 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (6件)

プローバ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-112503 出願人：株式会社日本マイクロニクス
ウェーハの加工方法及びウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-069118 出願人：株式会社ディスコ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-306621 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

全件表示

前のページに戻る