特許
J-GLOBAL ID:201003078597366944
レーザー誘起表面ナノ配列構造の作製方法及びそれを用いて作製したデバイス構造
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-125233
公開番号(公開出願番号):特開2010-269435
出願日: 2009年05月25日
公開日(公表日): 2010年12月02日
要約:
【課題】レーザー照射により、固体表面に複数の量子ドットを同時に形成し、かつ、量子ドットを周期構造化させて2次元パターンを製造する方法及びこの方法により作製したデバイス構造並びにデバイスを提供する。【解決手段】本発明の量子ドット形成表面の製造方法においては、固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を1バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を1バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる工程を含むことを特徴とする量子ドット形成表面の製造方法。
IPC (7件):
B82B 3/00
, H01S 5/50
, H01S 5/34
, H01L 31/04
, B23K 26/00
, B82B 1/00
, H01L 29/06
FI (9件):
B82B3/00
, H01S5/50 610
, H01S5/34
, H01L31/04 X
, B23K26/00 E
, B23K26/00 H
, B23K26/00 G
, B82B1/00
, H01L29/06 601D
Fターム (12件):
4E068AH00
, 4E068CA01
, 4E068DA00
, 4E068DA09
, 5F051CB30
, 5F051DA20
, 5F151CB30
, 5F151DA20
, 5F173AF08
, 5F173AQ05
, 5F173AR02
, 5F173AR12
引用文献:
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