特許
J-GLOBAL ID：201003081356933660

積層構造体の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタアレイの製造方法

発明者：
岡田 吉智

岡田 吉智 について

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田野 隆徳

田野 隆徳 について

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小野寺 敦

小野寺 敦 について

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山賀 匠

山賀 匠 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-314819
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141048
出願日： 2008年12月10日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、 前記高表面エネルギー領域を覆うように、前記濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、 前記高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、 前記導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、前記高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程と、 を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/288 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/312
FI (7件)：
H01L21/28 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/312 B
Fターム (47件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD77 ,  4M104DD79 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06 ,  4M104HH16 ,  5F058AA03 ,  5F058AA07 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK41
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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