酸化物半導体、薄膜トランジスタ並びに表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-274564
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103360
出願日： 2008年10月24日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。【解決手段】InMO3(ZnO)m(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから選ばれた一又は複数の元素、mは1以上50未満の非整数)である。この場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでmの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満の非整数とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In、Ga、Znを構成成分として含みZnの濃度がIn及びGaの濃度よりも低いことを特徴とする酸化物半導体。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 616T

Fターム (43件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC34 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266012 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
国際公開第05/088726号

審査官引用 (6件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-224309 出願人：キヤノン株式会社
非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-078996 出願人：出光興産株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-126320 出願人：凸版印刷株式会社

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