特許
J-GLOBAL ID：201003095894138235

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

発明者：
太宰 尚宏

太宰 尚宏 について

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平野 智之

平野 智之 について

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松宮 祐

松宮 祐 について

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塩野 大寿

塩野 大寿 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-033273
公開番号（公開出願番号）：特開2010-191014
出願日： 2009年02月16日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】側鎖に、連結基を介してその環骨格中に-SO2-を含む環式基を有するエステル基を有する(メタ)アクリレート構造で表される構成単位(a0-1)、側鎖に、酸解離性基を有するエステル基と、連結基を介したエステルを縦に連結した(メタ)アクリレート構造で表される構成単位(a0-2)、および側鎖に酸解離性基を有する(メタ)アクリレート構造で表される構成単位(a1-0-1)を有し、全構成単位に対し、構成単位(a0-1)の割合は10〜40モル%であり、構成単位(a0-2)の割合は5〜20モル%であり、構成単位(a1-0-1)の割合は10〜55モル%である高分子化合物(A1)。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)、下記一般式(a0-2)で表される構成単位(a0-2)、および、下記一般式(a1-0-1)で表される構成単位(a1-0-1)を有する高分子化合物(A1)を含有し、 前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位に対し、前記構成単位(a0-1)の割合は10〜40モル%であり、前記構成単位(a0-2)の割合は5〜20モル%であり、前記構成単位(a1-0-1)の割合は10〜55モル%であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/10 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/10 ,  H01L21/30 502R
Fターム (47件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15P ,  4J100BA15T ,  4J100BC02T ,  4J100BC03R ,  4J100BC03T ,  4J100BC04T ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC09T ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100BC84P ,  4J100BC84T ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (7件)
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