研究者
J-GLOBAL ID:201101009143824920   更新日: 2020年08月31日

秋永 広幸

Akinaga Hiroyuki
所属機関・部署:
職名: 総括研究主幹
ホームページURL (2件): http://www.researcherid.com/rid/L-8623-2016http://www.researcherid.com/rid/L-8623-2016
研究分野 (5件): 応用物性 ,  材料加工、組織制御 ,  ナノ材料科学 ,  電気電子材料工学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (28件): 人工知能デバイス ,  抵抗変化メモリ ,  ハーフメタ ,  スピン起動相互作用 ,  スピン流 ,  スピンMOSFET ,  スピン注入 ,  電子デバイス ,  ハーフメタル ,  スピン依存伝導 ,  スピン蓄積 ,  スピンFET ,  スピントロニクス ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  スピン軌道相互作用 ,  ヘテロ構造 ,  MRAM ,  スピンエレクトロニクス ,  非線形磁気伝導 ,  ハイブリッド構造 ,  磁性 ,  金属 ,  半導体 ,  半導体物性 ,  ナノ材料 ,  磁気抵抗スイッチ効果 ,  磁気抵抗効果 ,  MBE,エピタキシャル
論文 (209件):
  • Yasuhisa Naitoh, Yosuke Tani, Emiko Koyama, Tohru Nakamura, Touru Sumiya, Takuji Ogawa, Guento Misawa, Hisashi Shima, Kota Sugawara, Hiroshi Suga, et al. Single-Molecular Bridging in Static Metal Nanogap Electrodes Using Migrations of Metal Atoms. The Journal of Physical Chemistry C. 2020. 124. 25. 14007-14015
  • M. Oshima, M. Shuzo, K. Ono, H. Fujioka, Y. Watanabe, S. Miyanishi, H. Akinaga. Initial stage of Schottky barrier formation of ferromagnetic MnSb(0001) films on GaAs(111)B. Applied Surface Science. 2020. 130-132. 892-898
  • Hiroshi Suga, Hiroya Suzuki, Kazuki Otsu, Takuya Abe, Yukiya Umeta, Kazuhito Tsukagoshi, Touru Sumiya, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga, Yasuhisa Naitoh. Feedback Electromigration Assisted by Alternative Voltage Operation for the Fabrication of Facet-Edge Nanogap Electrodes. ACS Applied Nano Materials. 2020. 3. 5. 4077-4083
  • 秋永 広幸, 浅井 哲也. アナログ抵抗変化素子を用いた脳型回路. 応用物理. 2020. 89. 1. 41-45
  • R. Rakshit, A. N. Hattori, Y. Naitoh, H. Shima, H. Akinaga, H. Tanaka. Three-dimensional Nanoconfinement Supports Verwey Transition in Fe3O4 Nanowire at 10 nm length scale. Nano Lett. 2019. 19. 5003-5010
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MISC (131件):
  • 清水敦史, 清水敦史, 木下健太郎, 中畝悠介, 島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸. 合成領域の微細化による高品質MOF結晶の選択成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.20a-222-8
  • 島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸. 動作電圧制御によるTaOx抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性の向上. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18p-432-5
  • 奥田裕司, 奥田裕司, 奥田裕司, 川北純平, 川北純平, 谷内敏之, 谷内敏之, 島久, 島久, 清水敦史, 清水敦史, et al. 化学状態の非破壊ナノイメージングを可能にする光電子顕微鏡開発. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.20a-222-9
  • 島久, 高橋慎, 内藤泰久, 秋永広幸. 酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向-不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用-. 電子情報通信学会技術研究報告. 2018. 118. 173(ICD2018 14-38). 59-64
  • 秋永広幸, 島久, 内藤泰久, 浅井哲也. アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発. 電子情報通信学会技術研究報告. 2018. 118. 10(ICD2018 1-13). 15
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特許 (36件):
学位 (1件):
  • 工学
経歴 (11件):
  • 2020 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 総括研究主幹
  • 2014 - 2019 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 総括研究主幹
  • 2011 - 2014 (独)産業技術総合研究所ナノデバイスセンター センター長
  • 2008 - 2011 (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター 副研究センター長
  • 2007 - 2008 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門 研究グループ長
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