文献

J-GLOBAL ID：201102205725013370   整理番号：11A0162484

ナノ秒パルスNd:YAGレーザ照射を用いたシリコン表面上へのドット状ナノ突起の作製

Fabrication of Dot-like Nano-protrusions on Silicon Surfaces Using Nanosecond Pulse Nd:YAG Laser Irradiation

著者 (5件)： YOSHIDA Yutaka (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  YATSU Shigeo (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  WATANABE Seiichi (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  KAWAI Masayoshi (KEK, Tsukuba, JPN) ,  KATO Takahiko (Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging  (Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 3  号： 1  ページ： 57-61  発行年： 2010年12月24日 
JST資料番号： L7297A  ISSN： 1883-3365  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一ナノ秒パルスNd:YAGレーザ照射方法を用いて,15~20nmの主ナノ突起(NP)の線形アレイを,空気中と低圧力中でSi(100)基板上に作製した。典型的に数キロジュール/m²である低レーザエネルギー密度で,均一サイズのNPを線形配列した。NPの線形アレイが,レーザ偏向ベクトルに垂直に生じ,そのNPの線間隔は,入射レーザ波長と殆ど同じであった。走査型電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM)とエネルギー分散分光法(EDS)を用いた構造解析と化学分析により,その主NPは,エピタキシャル成長し,酸化膜層で被覆されることを示した。このエピタキシャル成長主NPは,多数回のレーザ照射繰返しを用いることにより,約200nmまたは以上である半球形NPになるまで成長可能であった。これから,入射レーザ角を変えることにより,NPのレーザ誘起配列によるレーザ波長スケールでのナノパターン作製用にナノ秒レーザ照射方法を用いることができることを示した。このレーザ照射方法を用いて,パターン化NPを用いたオプトエレクトロニクス素子を開発することができることを期待する。

シソーラス用語： Nd-YAGレーザ ,  *レーザ照射 ,  *表面粗さ ,  *隆起 ,  *ケイ素 ,  円錐 ,  自己組織化 ,  *ナノ構造 ,  回路パターン形成 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ナノドット
準シソーラス用語： 突起

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (14件)：

• M. Birnbaum, “SEMICONDUCTOR SURFACE DAMAGE PRODUCED BY RUBY LASERS,”Journal of Applied Physics, Vol.36, p. 3688, 1965.
• J. E. Sipe, J. F. Young, J. S. Preston, and H. M. Vandriel, “LASER-INDUCED PERIODIC SURFACE-STRUCTURE.1. THEORY,”Physical Review B, Vol.27, pp. 1141-1154, 1983.
• J. F. Young, J. S. Preston, J. E. Sipe, and H. M. Vandriel, “TIME-RESOLVED EVOLUTION OF LASER-INDUCED PERIODIC SURFACE-STRUC-TURE ON GERMANIUM,”Physical Review B, Vol.27, pp. 1424-1427, 1983.
• A. J. Pedraza, J. D. Fowlkes, and Y. F. Guan, “Surface nanostructuring of silicon,”Applied Physics a-Materials Science & Processing, Vol.77, pp. 277-284, Jul 2003.
• A. J. Pedraza, J. D. Fowlkes, and D. H. Lowndes, “Silicon microcolumn arrays grown by nanosecond pulsed-excimer laser irradiation,”Applied Physics Letters, Vol.74, pp. 2322-2324, Apr 19 1999.

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ秒パルス ,  Nd ,  YAGレーザ ,  シリコン ,  ドット ,  突起 ,  作製