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J-GLOBAL ID：201102231863293199   整理番号：11A1594682

低圧有機金属気相エピタクシーによる高品質SiドープAlGaNの成長

Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (7件)： SHIMAHARA Yuki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  FUKUYO Fumitsugu (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  OKADA Tomoyuki (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  TAKAOKA Hidetsugu (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN) ,  YOSHIDA Harumasa (Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 9,Issue 1  ページ： 095502.1-095502.4  発行年： 2011年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,膜厚を制御した高品質膜を作製するためのその場モニタリングシステムをもつ,低圧有機金属気相エピタクシー(LP-MOVPE)による,AlN/サファイア基板上でのSiドープAlGaNの成長を報告した。AlGaNにおけるAlNモル分率を,成長温度を調整することにより制御できた。さらに,AlN上でのAlGaNの品質及び成長機構を議論した。0.28のAlNモル分率をもつGaN及びAlGaNは,三次元(3D)成長の出現のため,応力から自由であった。0.40のAlNモル分率をもつAlGaNの格子定数は,二次元(2D)成長モードにもかかわらず,0.28のAlNモル分率におけるそれより大きかった。これは,AlGaNと下層のAlNとの間の格子不整合が,結晶品質に悪影響を及ぼすことを示していた。0.60を超えるAlNモル分率をもつAlGaNを,本研究に用いたAlN/サファイアが圧縮に曝されるという事実により,コヒーレントにAlN上に成長させた。この理由のため,0.6を超えるAlNモル分率をもつ試料において,結晶品質は,下層AlN上でのコヒーレント成長のため,高かった。さらに,SiドーピングをAlGaNに関して行った。キャリア濃度は,2×10¹⁸cm^-3のSi濃度まで直線的に増加し,活性化率はほぼ1であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  薄膜成長 ,  *窒化アルミニウム ,  *サファイア ,  基板 ,  *モル分率 ,  窒化ガリウム ,  応力 ,  格子不整合
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  シリコン ,  成長温度 ,  結晶品質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (21件)：

• 1) H. Hirayama, J. Norimatsu, N. Noguchi, S. Fujikawa, T. Takano, K. Tsubaki, and N. Kamata: Phys. Status Solidi C 6 (2009) 5474.
• 2) H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, and N. Kamata: Phys. Status Solidi A 206 (2009) 1176.
• 3) S.J. Hearne, J. Han, S.R. Lee, J.A. Floro, D.M. Follstaedt, E. Chason, and I.S.T. Tsog: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1534.
• 4) S. Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, M. Diebelberg, S. Figge, K. Vogeler, and D. Hommel: J. Appl. Phys. 88 (2000) 7029.
• 5) D.G. Zhao, D.S. Jiang, J.J. Zhu, Z.S. Liu, S.M. Zhang, H. Yang, U. Jahn, and K.H. Ploog: J. Cryst. Growth 310 (2008) 5266.

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧 ,  有機金属気相エピタクシー ,  高品質 ,  Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  成長