特許
J-GLOBAL ID：201103000492281933

有機電界発光表示装置及びその製造方法

発明者：
康 起寧

康 起寧 について

, 
李 在燮

李 在燮 について

, 
陳 東彦

陳 東彦 について


出願人/特許権者：
三星モバイルディスプレイ株式會社

三星モバイルディスプレイ株式會社 について


代理人 (1件)： アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-250718
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023695
出願日： 2009年10月30日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】酸化物薄膜トランジスタが備えられた有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及び第2薄膜トランジスタのゲート電極と、第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及び第2薄膜トランジスタのゲート電極上に形成された第1絶縁層と、第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と重なる領域に形成された第1絶縁層の一部が除去されて形成された第1ビアホールと、第1絶縁層上にそれぞれ形成された第1、2酸化物半導体層と、第1、2酸化物半導体層上に形成された第2絶縁層と、第2酸化物半導体上に形成された第2絶縁層の一部が除去されて形成された第2ビアホールと、第2絶縁層上に形成されたゲート電極と、第2ビアホールを介して第2酸化物半導体層と接触するように第2絶縁層上に形成されたソース/ドレイン電極と、が含まれる。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及び第2薄膜トランジスタのゲート電極と、 前記第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及び第2薄膜トランジスタのゲート電極上に形成された第1絶縁層と、 前記第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と重なる領域に形成された第1絶縁層の一部が除去されて形成された第1ビアホールと、 前記第1薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と重なる第1絶縁層及び第2薄膜トランジスタのゲート電極と重なる第1絶縁層上にそれぞれ形成された第1、2酸化物半導体層と、 前記第1、2酸化物半導体層上に形成された第2絶縁層と、 前記第2酸化物半導体上に形成された前記第2絶縁層の一部が除去されて形成された第2ビアホールと、 前記第1薄膜トランジスタの第1酸化物半導体層と重なる第2絶縁層上に形成されたゲート電極と、 前記第2ビアホールを介して前記第2酸化物半導体層と接触するように前記第2絶縁層上に形成されたソース/ドレイン電極と、 が含まれることを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32
FI (10件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 613Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/22 Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H01L29/78 616S
Fターム (29件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM