特許
J-GLOBAL ID：201103001052901804

半導体装置

発明者：
伊藤 伸之

伊藤 伸之 について

, 
ジョン トワイナム

ジョン トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-140271
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287725
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】インパクトイオン化現象によって発生した電子・正孔を効率よく吸収することが可能で正常な動作特性と高い信頼性を実現する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置20は、基板21に対して順次積層されたバッファ層22、下地化合物半導体層23f(下地化合物半導体層23)、インパクトイオン制御層24、下地化合物半導体層23s(下地化合物半導体層23)、チャネル画定化合物半導体層26f(チャネル画定化合物半導体層26)、チャネル画定化合物半導体層26s(チャネル画定化合物半導体層26)、AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)層28、GaN(窒化ガリウム)層29を備えている。インパクトイオン制御層24は、下地化合物半導体層23の積層範囲(積層範囲の厚さTst)内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板に積層されて下地を構成する下地化合物半導体層と、該下地化合物半導体層に積層されてチャネルを画定するチャネル画定化合物半導体層とを備える半導体装置であって、 前記下地化合物半導体層の積層範囲内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御するインパクトイオン制御層を備え、 前記下地化合物半導体層は、第1化合物半導体で形成され、前記チャネル画定化合物半導体層は、第2化合物半導体で形成され、前記インパクトイオン制御層は、前記第1化合物半導体のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する第3化合物半導体で形成されていること を特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618C
Fターム (97件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR11 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG20 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA29 ,  5F140AB08 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BB19 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CD09 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM