発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金高寿裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050166
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187961
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】新しい構造を有する光抽出効率が向上した発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、第1電極160と、第1電極上に接合層158、反射層157、反射層の上面まわり領域にチャンネル層155、反射層上にオーミック接触層156が形成され、その上に第1半導体層150、活性層140及び第2半導体層130を含む発光構造物145と、発光構造物の上に複数の炭素ナノチューブを含むナノチューブ層135と、第2電極170が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、前記第1及び第2半導体層のうちで何れか一つの層上に形成された第1電極と、及び前記第1及び第2半導体のうちで他の一つの層上に形成された第2電極と、を含む発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/42

FI (1件)：

H01L33/00 222

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA88 , 5F041CB11 , 5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-046357 出願人：日立電線株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-125525 出願人：ソニー株式会社, 学校法人上智学院, 株式会社日立製作所
ナノチューブ・コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-554289 出願人：ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド

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