特許
J-GLOBAL ID：200903052583549124
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125525
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282966
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】密着性が高く、オーミック抵抗が小さく、さらに光取り出し効率の高い半導体素子を提供する。【解決手段】II-VI族化合物半導体(例えばZnTe、BeZnTeまたはMgSe)を含むコンタクト層17を上面に有する積層構造20と、コンタクト層17の上面に形成された上部電極18とを備える。コンタクト層17の上面全体には凹凸部17Cが形成されており、凹凸部17Cは積層面内の一の方向に延在するストライプ状の複数の凸部17Dを並列配置した微細構造となっている。これにより、コンタクト層17の上面が平坦面となっているときと比べて、コンタクト層17と上部電極18との接触面積が大きくなるだけでなく、コンタクト層17の上面のうち発光領域14A(または開口部18A)との対向領域での法線方向の屈折率の変化が滑らかになる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主としてII-VI族化合物半導体を含む第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層の表面上に形成された電極と
を備え、
前記第1導電型半導体層は、前記電極側の表面の全体または一部に凹凸部を有する
ことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 D
, H01L33/00 E
5F041AA04
, 5F041AA24
, 5F041AA42
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA43
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
出願人引用 (8件)
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特許3278951号公報
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化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-300144
出願人：株式会社東芝
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-181779
出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (7件)
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