電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川譲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205879
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060828
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。【解決手段】有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合する。有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時に、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層の一方の側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、かつ前記有機半導体層の他方の側にソース電極及びドレイン電極が互いに分離して形成される電界効果型有機トランジスタにおいて、前記有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合し、前記有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、前記ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時にだけ、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択されることから成る電界効果型有機トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 21/336 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (8件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 310A , H01L29/78 618E , H01L29/78 616U , H01L29/78 618A , H01L29/80 H

Fターム (35件)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC02 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102HC11 , 5F110AA01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-379536 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-032309 出願人：住友化学株式会社
有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-069485 出願人：セイコーエプソン株式会社, 国立大学法人大阪大学

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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