特許

J-GLOBAL ID：201103066058675851

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： ホワイティング,グレゴリー ,  ホールズ,ジョナサン ,  バロウズ,ジェレミー ,  マーフィー,クレイグ
出願人/特許権者： ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド
代理人 (5件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  鈴木 守 ,  松任谷 優子 ,  津田 理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-534546
公開番号（公開出願番号）：特表2011-505065
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

ソース電極(2)およびドレイン電極(4)と、チャネル領域内でソース電極(2)とドレイン電極(4)の間に配置された有機半導電性材料(8)とを含む有機薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極の上に、電子を受容することによって有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層(14)が配置され、このドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有する、有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

ソースおよびドレイン電極と、チャネル領域内で前記電極間に配置された有機半導電性材料とを含む有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極およびドレイン電極の上に、電子を受容することによって前記有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層が配置され、前記ドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有する、有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250Z

Fターム (25件)：

5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 有機薄膜トランジスタ、有機発光素子及び有機発光ディスプレイ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-512658   出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド, パナソニック株式会社
• 有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163101   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置、有機トランジスタ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-117481   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-322976   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-190561   出願人：三星エスディアイ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “Controlling Electrical Properties of Conjugated Polymers via a Solution-Based p-Type Doping”