特許

J-GLOBAL ID：201103004354603020

素子分離形成方法

発明者： 芦沢 寅之助 ,  平井 圭三 ,  赤堀 聡彦 ,  倉田 靖 ,  大槻 裕人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046064
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243733
特許番号：特許第3725357号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上面に窒化珪素からなるストッパ膜を形成し、該ストッパ膜及び該半導体基板をパターンニングして分離溝を形成し、次いで、該ストッパ膜及び分離溝上に段差のある酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、続く第一の工程で、酸化セリウム、水、分散剤、陰イオン性界面活性剤を含み、pH及び粘度が四角形A1(5.5,1.0mPa・s)-B1(5.5,2.5mPa・s)-C1(9.0,2.5mPa・s)-D1(8.5,1.0mPa・s)で囲まれる範囲にある研磨剤を用いて絶縁膜の段差を0.2μm以下に平坦化し、第一の工程とは異なる第二の工程で第一の工程で用いた研磨剤とは異なる研磨剤またはエッチング剤を用いてストッパ膜上の絶縁膜を除去することを特徴とする素子分離形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-129597   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262830   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340270   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186411   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240236   出願人：三菱電機株式会社
• ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-110576   出願人：株式会社東芝