特許
J-GLOBAL ID：201103004410833440
タンタル-炭素系薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
清水 善廣
, 阿部 伸一
, 辻田 幸史
, 田代 作男
, 町田 悦夫
, 打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318244
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131746
特許番号：特許第4448582号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上にタンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップと、基板にバイアスを印加しつつ前記タンタルを含有する炭素を多く含む層をプラズマに暴露するステップとを1サイクルとして、これを複数回繰り返した後、さらに基板をシラン系のガス雰囲気中において熱アニールすることを特徴とするタンタルと炭素を包含するタンタル-炭素系薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/32 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
C23C 16/32
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301
, H01L 21/88 M
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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