特許
J-GLOBAL ID：201103005498144441
高電子移動度トランジスタ、エピタキシャル基板、及び高電子移動度トランジスタを作製する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-228633
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077386
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】ノーマリオフ特性を実現する高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】チャネル層25が第1のバリア層27上に設けられると共に第1のバリア層27と第1のヘテロ接合33を成す。また、チャネル層25は圧縮歪みを内包して、チャネル層25のピエゾ電界PZC2は支持基体13から第1のバリア層27への方向に向く。第1のヘテロ接合33がIII族窒化物領域23のc軸方向に対して40度以上85度以下及び140度以上180度未満の角度範囲の傾斜角αで傾斜した基準軸ベクトルに垂直な平面に沿って延在するとき、ゲート電極19直下におけるチャネル層25におけるピエゾ電界PZC2の大きさをc面上のトランジスタにおけるピエゾ電界の大きさに比べて小さくできて、有限な大きさのピエゾ電界を残しながらノーマリオフ特性が実現される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
高電子移動度トランジスタであって、
III族窒化物領域を含む自立の支持基体と、
前記III族窒化物半導体領域上に設けられた第1のIII族窒化物バリア層と、
前記第1のIII族窒化物バリア層上に設けられ、前記第1のIII族窒化物バリア層と第1のヘテロ接合を成すIII族窒化物チャネル層と、
前記第1のヘテロ接合に電界を及ぼすように前記III族窒化物チャネル層上に設けられたゲート電極と、
前記III族窒化物チャネル層及び前記第1のIII族窒化物バリア層上に設けられたソース電極と、
前記III族窒化物チャネル層及び前記第1のIII族窒化物バリア層上に設けられたドレイン電極と
を備え、
前記III族窒化物チャネル層は圧縮歪みを内包して、前記III族窒化物チャネル層のピエゾ電界は前記支持基体から前記第1のIII族窒化物バリア層への方向に向き、
前記第1のヘテロ接合は、前記III族窒化物領域のc軸に対して40度以上85度以下及び140度以上180度未満の角度範囲の傾斜角で傾斜した法線軸を有する平面に沿って延在する、ことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
H01L29/80 B
, H01L29/80 H
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GT01
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC19
, 5F102HC21
