強誘電体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：前田弘 , 小山廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260665
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085632
特許番号：特許第3971536号
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のワード線と、上記複数のワード線に交差する複数のビット線と、上記複数のワード線およびビット線が交差する位置にマトリクス状に配置されたメモリセルと、上記メモリセル内に設けられ、強誘電体膜と該強誘電体膜を挟む第1,第2の電極により構成される少なくとも1つの強誘電体キャパシタと、上記メモリセル内に設けられ、上記ビット線と上記強誘電体キャパシタの上記第1の電極との間に介設され、ゲートが上記ワード線に接続される少なくとも1つメモリセルトランジスタと、上記強誘電体キャパシタの上記第2の電極に接続されるセルプレート線と、上記セルプレート線の電位にほぼ等しい電位の電圧を供給するためのリセット電圧供給線と、上記リセット電圧供給線と上記強誘電体キャパシタの第1の電極との間に介設されたスイッチングトランジスタからなるリセットトランジスタと、上記リセットトランジスタのON・OFFを制御するためのリセット制御信号線とを備え、上記リセットトランジスタと上記メモリセルトランジスタとは、互いに1つの拡散層を共有していることを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , G11C 11/22 ( 200 6.01) , G11C 14/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B , G11C 11/22 501 A , G11C 11/34 352 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319904 出願人：松下電器産業株式会社
強誘電体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099257 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-180638 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

全件表示

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319904 出願人：松下電器産業株式会社
強誘電体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099257 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-180638 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

全件表示

前のページに戻る