特許
J-GLOBAL ID：201103009472552369

半導体装置の製造方法

発明者：
山口 直

山口 直 について

, 
二瀬 卓也

二瀬 卓也 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-074775
公開番号（公開出願番号）：特開2011-210790
出願日： 2010年03月29日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】全反応方式のサリサイドプロセスを用いず、部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極8a,8b、n+型半導体領域9bおよびp+型半導体領域10bの表面に金属シリサイド層41を形成する。金属シリサイド層41を形成する際の熱処理では、ランプまたはレーザを用いたアニール装置ではなく、カーボンヒータを用いた熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、少ないサーマルバジェットで精度良く薄い金属シリサイド層41を形成し、最初の熱処理によって金属シリサイド層41内にNiSiの微結晶を形成する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板を準備する工程、 (b)前記半導体基板に半導体領域を形成する工程、 (c)前記半導体領域上を含む前記半導体基板上に金属膜を形成する工程、 (d)第1の熱処理を行って前記金属膜と前記半導体領域とを選択的に反応させて前記半導体領域の上部に金属シリサイド層を形成する工程、 (e)前記(d)工程後に、未反応の前記金属膜を除去し、前記半導体領域上に前記金属シリサイド層を残す工程、 (f)前記(e)工程後に、前記第1の熱処理よりも熱処理温度が高い第2の熱処理を行う工程、 (g)前記(f)工程後に、前記金属シリサイド層上を含む前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、 を有し、 前記(d)工程の前記第1の熱処理の昇温レートは、250〜500°C/秒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (12件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/324
FI (9件)：
H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 102D ,  H01L21/26 F ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 301P ,  H01L21/324 J
Fターム (94件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD90 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  5F032AA11 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA74 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF19 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK38 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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