半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-354548
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123284
出願日： 2003年10月15日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】急速にウエハを昇降温することが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】ウエハ116と平行な上面を有する下部ヒータ101を処理室110に水平に固定する。その上方にウエハ116と平行な下面を有する上部ヒータ102を対向配置する。そして、上部ヒータ102と下部ヒータ101との間でウエハ116を保持するウエハリフト部106を設ける。また、ウエハリフト部106を上下に駆動させる第1の駆動機構107と、上部ヒータ102を上下に駆動させる第2の駆動機構109を設ける。予め加熱した上部ヒータ102及び下部ヒータ101でウエハ116をほぼ同時に接触加熱することで急速に昇温することができる。そして、熱処理後は直ちにウエハ116を上部ヒータ102及び下部ヒータ101から離すことができるので、急速に降温することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウエハと平行な上面を有する下部ヒータと、前記下部ヒータの上方に対向配置され、前記ウエハと平行な下面を有する上部ヒータと、前記上部ヒータと前記下部ヒータとの間で前記ウエハを保持する保持機構と、前記保持機構を上下に駆動させる第1の駆動機構と、前記上部ヒータと前記下部ヒータの少なくとも一方を上下に駆動させる第2の駆動機構と、を備える半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/31 , H01L21/324

FI (5件)：

H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/31 A , H01L21/324 K , H01L21/324 Q

Fターム (27件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030BA20 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA09 , 4K030KA08 , 4K030KA24 , 4K030KA26 , 4K030KA46 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045DP05 , 5F045DQ10 , 5F045EK12 , 5F045EK13 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-226374 出願人：日本電信電話株式会社
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-319284 出願人：日本電信電話株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-319269 出願人：日本電信電話株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社

審査官引用 (7件)

基板熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-340273 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
薄膜太陽電池の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-239867 出願人：矢崎総業株式会社
基板を冷却するための方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-570821 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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