特許
J-GLOBAL ID：201103009483245344

金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

発明者：
辰巳 徹

辰巳 徹 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  緒方 雅昭 ,  石橋 政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241222
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057156
特許番号：特許第4573009号
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地金属上への有機金属材料ガスと酸化ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の熱CVDによる気相成長方法であって、金属酸化物誘電体膜の成膜に先立ち、Pb有機金属原料ガスを単独または酸化ガスと共に供給する第1の工程と、その後、金属酸化物誘電体膜の原料となる有機金属材料ガスを供給して金属酸化物誘電体膜を成膜する第2の工程とを有し、 前記第2の工程は、成膜初期の成膜条件である第1の成膜条件とその後の成膜条件である第2の成膜条件とが異なり、前記第1の成膜条件で、金属酸化物誘電体の原料となる有機金属材料ガスのすべてを用いて、前記下地金属上にペロブスカイト型結晶構造の初期核または初期層の形成を行い、第2の成膜条件で、この初期核または初期層上にさらにペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行うことを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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