特許
J-GLOBAL ID：201103011538625367
SOI構造の半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306994
特許番号：特許第3751469号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上に絶縁用酸化膜及びシリコン層が順次形成された半導体基板を準備する工程と、前記シリコン膜上にゲート酸化膜及び窒化膜を順次形成する工程と、LOCOS酸化膜形成予定領域の上記窒化膜、ゲート酸化膜及びシリコン層の3/4以上の膜厚を除去する工程と、前記除去工程で残存したシリコン層を酸化してLOCOS酸化膜に変換する工程と、この後前記窒化膜を除去して、前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程とを有するSOI構造の半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/762 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/76 D
, H01L 27/12 F
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 621
