特許
J-GLOBAL ID:201103012035463471

PN接合太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 亀谷 美明
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-385702
公開番号(公開出願番号):特開2002-217430
特許番号:特許第4036640号
出願日: 2001年12月19日
公開日(公表日): 2002年08月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 p型半導体層とn型半導体層とを含むpn接合構造を形成するステップと; 接触パターンを前記pn接合構造の上面に形成するステップと; 電気メッキ法を行なうための電解液に前記pn接合構造を入れるステップと; 前記接触パターンの長さ方向の一側に,前記接触パターンの長さ方向の他側より新鮮な前記電解液を供給するステップと; を含むことを特徴とする,太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 H
引用特許:
審査官引用 (17件)
  • 特開昭62-232973
  • 特開昭49-049586
  • 特開昭61-144885
全件表示

前のページに戻る