特許
J-GLOBAL ID：201103012902651910
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小島 隆司
, 西川 裕子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346933
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220416
特許番号：特許第3844057号
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1、R2、R3は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R4は水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基、R5は単結合又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、R6とR7は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基であるが、R6、R7の少なくとも一方に1個以上のフッ素原子を含む。Xは-O-又は-C(=O)-O-である。
R8は、下記式(2)で示される基、下記式(3)で示される基、下記式(4)で示される炭素数4〜40の三級アルキル基、炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基から選ばれる酸不安定基である。
(式(2)において、R9は炭素数4〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示される基を示し、a1は0〜6の整数である。
式(3)において、R10、R11は水素原子又は炭素数1〜18の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R12は炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示す。R10とR11、R10とR12、R11とR12とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR10、R11、R12はそれぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
式(4)において、R13、R14、R15は炭素数1〜20の1価炭化水素基であり、ヘテロ原子を含んでもよい。R13とR14、R13とR15、R14とR15とは互いに結合して環を形成してもよい。)
0≦d<5、0≦e<5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h≦5である。
また、上記式(1a)の繰り返し単位の含有割合をa、上記式(1b)の繰り返し単位の含有割合をb、上記式(1c)の繰り返し単位の含有割合をcとし、a+b+c=1とすると、0≦a<1、0≦b<1、0<a+b<1、0<c<0.8の範囲である。)
IPC (4件)：
C08F 212/04 ( 200 6.01)
, C08F 216/14 ( 200 6.01)
, C08F 220/26 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
C08F 212/04
, C08F 216/14
, C08F 220/26
, G03F 7/039 601
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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