特許
J-GLOBAL ID：201103013386567636
有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小池 信夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120900
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311874
特許番号：特許第4644323号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セリウム、アルミニウム又はケイ素のうち少なくとも1種類の元素の酸化物からなる砥粒と、
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラ(n-プロピル)アンモニウム、水酸化テトラ(i-プロピル)アンモニウム、水酸化テトラ(n-ブチル)アンモニウム、水酸化テトラ(i-ブチル)アンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、及び水酸化ベンジルセチルジメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも一種類の第四級アンモニウム塩基と、
水と、から実質的になる、化学的機械研磨用研磨剤スラリーであって、
半導体基板上に形成された銅(Cu)または銅合金からなる金属配線層及びタンタル又はタンタル化合物(タンタル合金及びタンタル合金化合物を含む)からなるそのバリア層を有する半導体デバイスを研磨するためのものであり、前記スラリー全量に対して、前記第四級アンモニウム塩基を0.01〜0.2重量%、前記砥粒を0.1〜3重量%、及び、水を96.8重量%以上含有する研磨剤スラリー。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, C09K 3/14 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 D
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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