特許
J-GLOBAL ID：201103013405658079

紫外線発光素子

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

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只友 一行

只友 一行 について

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大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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常川 高志

常川 高志 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080806
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280609
特許番号：特許第3595276号
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】段差にて区画された凹部底面および凸部上面を単位基準面として有する凹凸が結晶基板に形成され、該凹部底面および凸部上面に、GaN系半導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層が気相成長しており、該GaN系結晶層の上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層が成長し発光層となっている半導体発光素子構造を有する紫外線発光素子であって、該GaN系結晶層は、結晶基板の凹凸によって横方向成長が抑えられることによりファセット構造を形成しながら成長したものであり、かつ、凹部底面、凸部上面の両方の単位基準面から、結晶単位が、それぞれの頂部に平坦部を有すること無く両ファセット面が頂部で交差する山形の態様として成長した後、成長面が平坦化されてGaN系結晶層となったものであり、これによって、結晶基板からC軸方向に伸びた転位線が前記ファセット面で横方向に曲げられていることを特徴とする、紫外線発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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