特許
J-GLOBAL ID：201103014629892022
光デバイスウエーハの加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 昂
, 伊藤 憲二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-024541
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165766
出願日： 2010年02月05日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインに対応する基板内部に位置づけるとともに該分割予定ラインに沿って照射して基板内部に変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインに対応する基板内部に位置づけるとともに該分割予定ラインに沿って照射して基板内部に変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、
該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/14
H01L21/78 B
, H01L21/78 Q
, B23K26/00 D
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/14 Z
4E068AA05
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA09
, 4E068CA11
, 4E068CB06
, 4E068CH08
, 4E068DA10
