半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-125457
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199306
出願日： 2011年06月03日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置としてのショットキーダイオード10は、半導体からなる基板11と、基板11上に形成されたn型層12とを備えている。n型層12は基板11側の表面である第1の面12Aとは反対側の表面である第2の面12Bから第1の面12Aに向けて延びるように形成された溝13を有している。溝13の底部である底壁13Aに接触する位置には絶縁体としての酸化物層14が配置されており、かつ溝13の側壁13Bに接触するようにn型層12とショットキー接触可能な金属膜15が溝13を埋めるように形成されている。さらに、n型層12の第2の面12Bに接触するようにアノード電極16が配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体からなる基板と、前記基板上に形成され、かつ前記基板側の表面である第1の面とは反対側の表面である第2の面から前記第1の面に向けて延びるように形成された溝を有するn型層と、前記溝の底部に配置された絶縁体と、前記溝の側壁に接触するように形成された、前記n型層とショットキー接触可能な金属膜とを備えた、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 29/80

FI (10件)：

H01L29/48 F , H01L29/78 652T , H01L29/78 652S , H01L29/78 652M , H01L29/78 653A , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A , H01L29/80 C , H01L29/80 V

Fターム (44件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104DD06 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104EE02 , 4M104EE10 , 4M104EE14 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104FF37 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC02 , 5F102GD04 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (7件)

トレンチショットキー整流器
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-524229 出願人：ゼネラルセミコンダクター,インク.
ショットキーバリア半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298119 出願人：株式会社村田製作所
ショットキーバリア半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106138 出願人：株式会社村田製作所

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