特許
J-GLOBAL ID：201103017045007271
シリコンインゴットの結晶方位検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075752
公開番号（公開出願番号）：特開2000-266697
特許番号：特許第4681700号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 結晶軸(10)が中心軸(12)に対してオフセットを有するシリコンインゴット(14)の結晶方位を検出する方法であって、
前記結晶軸を取り囲む複数の結晶面のうちの一のファミリー面を選定する工程と、
前記選定したファミリー面のうちの一の結晶面を選定する工程と、
前記選定した結晶面に対してブラッグの条件が成立する位置にX線入射手段(16)およびX線受光手段(18)を配置しさらに前記X線入射手段(16)から出力され前記選定した一の結晶面で反射するX線反射ビーム(22)のみを選択的に受光できる位置に前記X線受光手段(18)を配置する工程と、
前記中心軸を回転中心として前記シリコンインゴットを回転させながら、前記X線入射手段を用いてX線入射ビーム(20)を該シリコンインゴットに入射し、その結果得られたX線反射ビーム(22)を前記X線受光手段で受光する工程と、
前記受光したX線反射ビームの強度と、該X線反射ビームを受光したときの前記シリコンインゴットの回転量とに基づいて、該シリコンインゴットの結晶方位を特定する工程と
を具備するシリコンインゴットの結晶方位検出方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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