特許
J-GLOBAL ID：201103017401027533

電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

発明者：
生田 哲也

生田 哲也 について

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清水 成

清水 成 について

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柴田 智彦

柴田 智彦 について


出願人/特許権者：
DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-207297
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040766
出願日： 2010年09月15日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：
【課題】横方向リーク電流の低減と横方向耐圧特性を両立させ、縦方向耐圧を向上させる電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。【解決手段】Si基板1上のバッファ3上にIII族窒化物層をエピタキシャル成長させた、チャネル層4aおよび電子供給層4bを有する主積層体4を具え、前記バッファは、Si基板と接する初期成長層5および初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体6を有し、初期成長層はAlN材料からなり、前記超格子積層体はBa1Alb1Gac1Ind1N材料からなる第1層6aおよび第1層とはバンドギャップの異なるBa2Alb2Gac2Ind2N材料からなる第2層6bを積層してなり、前記超格子積層体と、前記主積層体を構成するチャネル層のバッファ側の部分は、C濃度が1×1018/cm3以上であり、チャネル層の電子供給層側の部分は、C濃度が4×1016/cm3以下であることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファと、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて順次積層形成した、チャネル層および電子供給層を有する主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、 前記バッファは、前記Si単結晶基板と接する初期成長層および該初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体を少なくとも有し、 前記初期成長層はAlN材料からなり、かつ前記超格子積層体はBa1Alb1Gac1Ind1N(0≦a1≦1, 0≦b1≦1, 0≦c1≦1, 0≦d1≦1, a1+b1+c1+d1=1, 但し、b1およびc1がともに0の場合は除く。)材料からなる第1層および該第1層とはバンドギャップの異なるBa2Alb2Gac2Ind2N(0≦a2≦1, 0≦b2≦1, 0≦c2≦1, 0≦d2≦1, a2+b2+c2+d2=1, 但し、b2およびc2がともに0の場合は除く。)材料からなる第2層を交互に積層してなり、 前記超格子積層体と、前記主積層体を構成するチャネル層のバッファ側の部分は、ともにC濃度が1×1018/cm3以上であり、かつ 前記主積層体を構成するチャネル層の電子供給層側の部分は、C濃度が4×1016/cm3以下であることを特徴とする電子デバイス用エピタキシャル基板。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA59 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL15 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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