特許
J-GLOBAL ID：201103019397209306

薄膜製造方法及び装置

発明者：
柳谷 隆彦

柳谷 隆彦 について

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高柳 真司

高柳 真司 について

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松川 真美

松川 真美 について

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渡辺 好章

渡辺 好章 について


出願人/特許権者：
学校法人同志社

学校法人同志社 について

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国立大学法人 名古屋工業大学

国立大学法人 名古屋工業大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-019574
公開番号（公開出願番号）：特開2011-157584
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。【解決手段】真空容器11内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器11内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットTをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットTに対向して真空容器11内に配置された基板ホルダ15に取り付けられた基板Sに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ15と真空容器11の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Sの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器内の基板ホルダに取り付けられた基板上でウルツ鉱型結晶薄膜を製造する方法において、ウルツ鉱型結晶薄膜材料を該基板上に堆積させる際、 前記基板ホルダの近傍にプラズマ生成ガスを導入し、 前記基板ホルダと前記真空容器の壁との間に高周波電圧を印加し、 前記高周波電圧の印加により前記プラズマ生成ガスの原子又は分子から電離された陽イオンを、前記基板表面に形成されるプラズマシースにより加速させ、該基板上に形成される薄膜の表面に入射する、 ことを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (10件)：
C23C 14/48 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/64 ,  H03H 9/25 ,  H03H 3/08 ,  H03H 3/02 ,  G02F 1/37
FI (12件)：
C23C14/48 D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H03H9/17 F ,  H03H9/64 Z ,  H03H9/25 Z ,  H03H3/08 ,  H03H3/02 A ,  H03H3/02 B ,  G02F1/37
Fターム (33件)：
2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA02 ,  2K002DA02 ,  2K002HA20 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029CA01 ,  4K029CA06 ,  4K029CA08 ,  4K029CA09 ,  4K029CA13 ,  4K029DC27 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5J097AA01 ,  5J097AA32 ,  5J097AA33 ,  5J097BB15 ,  5J097FF02 ,  5J097GG07 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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