薄膜製造方法及び前記薄膜製造方法により製造された六方晶系圧電薄膜

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318720
公開番号（公開出願番号）：特開2008-133145
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をc軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。【解決手段】矩形のターゲット22の下面には矩形タイプのマグネトロン回路23を配置する。ターゲット22の片半分を遮蔽板51によって覆い、その下のエロージョン領域39(磁束密度の最も大きな領域)から飛び出たスパッタ粒子が基板28へ飛来しないように遮断する。真空チャンバ21内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板28を配置し、エロージョン領域39の遮蔽板51から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板28の表面に入射させる。こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である(11-20)面を持つ結晶粒が優先的に成長してc軸面内配向膜が形成される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

スパッタリング法により基板の表面に薄膜を製造する方法であって、粒子発生源に対向させて前記基板を配置し、前記粒子発生源から出射したエネルギー粒子を前記基板に入射させ、所定の結晶軸方向が前記基板の表面と平行となるように前記エネルギー粒子を前記基板の表面に入射させて前記エネルギー粒子を含む薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (6件)：

C30B 23/08 , C30B 29/16 , C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 41/24 , H01L 41/18

FI (6件)：

C30B23/08 P , C30B29/16 , C23C14/34 S , C23C14/08 C , H01L41/22 A , H01L41/18 101Z

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA12 , 4G077EA05 , 4G077ED06 , 4G077EG25 , 4G077HA11 , 4G077SB01 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029BA49 , 4K029BB07 , 4K029BB09 , 4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029DC40 , 4K029EA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

圧電性薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-086446 出願人：アルプス電気株式会社
特許第3561745号公報
薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-269087 出願人：学校法人同志社

審査官引用 (4件)

薄膜製造方法及び前記薄膜製造方法により製造された六方晶系圧電薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-318720 出願人：オムロン株式会社, 学校法人同志社
薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074618 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
ZnO/サファイア基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-128757 出願人：株式会社村田製作所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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