III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-192834
公開番号（公開出願番号）：特開2011-042542
出願日： 2009年08月24日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板10を用意する工程と、サファイア基板10上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層11を、1100°C以上1300°C以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層11の上にIII族窒化物層12を成長する工程とを含む。サファイア基板10は、中間層11を成長させる主面が、当該サファイア基板10のm軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板10のm軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層12を成長する工程においては、第一の薄膜層12aの上にマスクを形成してから第2の厚膜層12bを形成してもよく、これにより第一の薄膜層12aと第2の厚膜層12bの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板10を容易に剥離し、III族窒化物層12の自立基板を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板を用意する工程と、前記サファイア基板上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層を、1100°C以上1300°C以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層の上にIII族窒化物層を成長させる工程とを含み、前記サファイア基板は、前記中間層を成長させる主面が、当該サファイア基板のm軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板のm軸に対し傾斜しているIII族窒化物基板の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C30B 25/18 , C30B 25/04 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/38 D , C30B25/18 , C30B25/04 , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (59件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB08 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EH06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TC14 , 4G077TJ02 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045GH09 , 5F045HA12

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052573 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法及び成長基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-015090 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたn型窒化ガリウム単結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-103723 出願人：住友電気工業株式会社

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