特許
J-GLOBAL ID:201103023038869497
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-303358
公開番号(公開出願番号):特開2001-126899
特許番号:特許第4017796号
出願日: 1999年10月26日
公開日(公表日): 2001年05月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 真空排気可能な真空槽と、前記真空槽内に配置された複数のアンテナ装置とを有し、
前記アンテナ装置は、導電性のシールド筒と、前記シールド筒の内部に、前記シールド筒と非接触の状態で挿入された導線とを有し、
前記シールド筒を接地した状態で、前記導線に高周波電圧を印加できるようにされ、
前記シールド筒には貫通孔が複数設けられ、前記シールド筒の内部にガスを導入すると、前記導入されたガスを前記貫通孔から噴出させることができるように構成され、
前記アンテナ装置の近傍には略平行に配置された複数のガス導入管が設けられ、
前記ガス導入管には噴出孔が複数設けられ、前記ガス導入管にガスを導入すると、前記噴出孔から前記導入されたガスを前記真空槽内に噴出させることができるように構成されたプラズマ処理装置であって、
前記ガス導入管は、互いに隣接する前記アンテナ装置の間に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ( 200 6.01)
, C23C 16/505 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (3件):
H05H 1/46 M
, C23C 16/505
, H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (10件)
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特開昭63-114974
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-128665
出願人:三菱重工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-291712
出願人:アネルバ株式会社
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-277075
出願人:国際電気株式会社
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プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-005759
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭53-091665
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マイクロ波プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-247772
出願人:松下電器産業株式会社
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-069137
出願人:国際電気株式会社
-
薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-234067
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭56-005971
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審査官引用 (10件)
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特開昭63-114974
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-128665
出願人:三菱重工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-291712
出願人:アネルバ株式会社
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-277075
出願人:国際電気株式会社
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プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-005759
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭53-091665
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マイクロ波プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-247772
出願人:松下電器産業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-069137
出願人:国際電気株式会社
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-234067
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭56-005971
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