特許
J-GLOBAL ID：201103024331613444
結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びTFTの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126987
特許番号：特許第4472066号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された半導体膜に、粒径が大きい半導体結晶を形成可能な第1のエネルギーE1のレーザ光を走査しながら1回以上照射する第1の照射工程と、
前記半導体膜に、前記第1のエネルギーE1よりも低く、かつ、前記第1の照射工程で生成された微結晶を再結晶化可能な第2のエネルギーE2のレーザ光を照射する第2の照射工程とを有し、
前記第1のエネルギーE1は、半導体の微結晶化のしきい値Eμ以上、かつ半導体結晶の粒径が最大となるエネルギーEφ以下のエネルギーであり、
前記第2のエネルギーE2は前記半導体の微結晶化のしきい値Eμよりも低いエネルギーであることを特徴とする結晶性半導体膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
