特許
J-GLOBAL ID：201103025639524910
半導体発光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
, 田畑 昌男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332343
特許番号：特許第4573374号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 可視光を透過する結晶成長用基板とその上に設けられた窒化物系半導体積層体を備えた半導体発光素子ウェハーの基板下面に、前記結晶成長用基板を透過した可視光によりウェハー裏面側からウェハー表面の構造を確認するための透過部を有する、第1の金属膜および第2の金属膜を含む多層膜を設ける工程と、前記結晶成長用基板および前記透過部を透過した可視光によりウェハー裏面側からウェハー表面の構造を認識してアライメントすることによりウェハー裏面に分割溝を形成してウェハーを分割し、半導体発光素子チップを得る工程を有し、
前記透過部は、前記第1の金属膜および前記第2の金属膜に設けられることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01S 5/02
, H01L 21/52 D
, H01L 21/52 B
, H01L 33/00 186
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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