特許
J-GLOBAL ID：201103027857553160
エピタキシャルウェーハ製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132480
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323556
特許番号：特許第4402763号
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、前記リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記伝熱抑制手段は、上記リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い128(W/m・K)未満の熱伝導率の材料によって形成し、かつ、前記サセプタの下面に沿って流れるパージガスを加熱対象として加熱して前記リフトピンの脚部からパージガスへの放熱を防止するパージガスの加熱手段を設けることによって構成されていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/683 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 21/68 N
, H01L 21/205
