気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269208
特許番号：特許第3633821号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化学気相成長法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法において、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基またはフェニル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第3種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させてシリコン系絶縁膜を基板に堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基またはフェニル基を絶縁膜から除去することを特徴とする低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法。

IPC (2件)：