特許
J-GLOBAL ID：201103031122223244
半導体レーザ素子を用いたレーザ式ガス分析装置
出願人/特許権者：
株式会社島津製作所
株式会社島津製作所 について
代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264031
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108930
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】半導体レーザ素子の素子温度を常時、所定の狭い温度域に維持することができるガス分析装置を提供する。【解決手段】ヒータ18により半導体レーザ素子12の周囲温度をその素子に対して設定されている動作温度域よりも高く維持しながら、温度センサ14により得られる半導体レーザ素子12の素子温度の測定値に基づいて、ペルチェ素子13により半導体レーザ素子12を常に冷却し、素子温度を動作温度域に維持する。このような温度制御であれば、実回路でのリレー等の切り替え動作が不要であり、切り替えに伴う待ち時間が生じないため、素子温度を常に連続的に制御することができ、素子温度を常時、所定の狭い温度域に維持することができる。従って、レーザ光の発光強度と波長が安定し、レーザ式ガス分析装置の分析精度が高まる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
a)レーザ光を発する半導体レーザ素子と、
b)前記半導体レーザ素子の周囲温度を、該半導体レーザ素子に対して設定されている動作温度域と重複しない周囲温度域で維持するための周囲温度維持手段と、
c)前記半導体レーザ素子の素子温度を測定する温度センサと、
d)前記半導体レーザ素子の素子温度を、前記周囲温度維持手段により維持された周囲温度域側から前記動作温度域側に向かう方向に変化させるための素子温度変更手段と、
e)前記半導体レーザ素子の素子温度が前記動作温度域に維持されるように、前記温度センサにより得られた測定値に基づいて前記素子温度変更手段を制御する素子温度制御手段と、
を備えることを特徴とするレーザ式ガス分析装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
引用特許：
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