特許
J-GLOBAL ID：201103033306466975
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299497
特許番号：特許第3770014号
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に窒化物半導体を成長させた後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して、再び窒化物半導体を成長させ、その後異種基板を除去して得られる基板であって、窒化物半導体のみからなるGaN基板上に、
該GaN基板に接して形成されており、膜厚が1μm以上であって、且つGaNより熱膨張係数の小さいAlaGa1-aN(0<a≦1)から成る窒化物半導体と、
少なくともAlを含有するn型クラッド層、InGaNを含有する活性層、及び少なくともAlを含有するp型クラッド層を有するダブルヘテロ構造を備えたデバイス構造と、を順に有してなる窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01S 5/343
, H01L 21/205
