特許
J-GLOBAL ID：201103033646053128
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198390
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016155
特許番号：特許第4443008号
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極とを有する半導体装置であって、
前記フローティングゲート電極は、前記第1の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された金属膜又はシリサイド膜とを有し、
前記第2の絶縁膜は、前記金属膜上又は前記シリサイド膜上に直接形成されており、
前記コントロールゲート電極と前記半導体基板との間に電圧を印加しない状態で、前記フローティングゲート電極の前記第1の絶縁膜の近傍に空乏層が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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