III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物結晶

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-288108
公開番号（公開出願番号）：特開2011-126749
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】(0001)面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】2枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるIII族窒化物結晶の<0001>軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、1以上の境界線が以下の(1)又は(2)を満たす。(1)0°<θ<90°である。(2)θ=0°である境界線(l)が2本以上存在し、隣り合う境界線(l)が同一直線上にない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

2枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるIII族窒化物結晶の<0001>軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、1以上の境界線が下記(1)又は(2)を満たすことを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。 (1) 0°<θ<90°である (2) θ=0°である境界線(l)が2本以上存在し、隣り合う境界線(l)が同一直線上にない

IPC (3件)：

C30B 29/38 , C30B 25/18 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D , C30B25/18 , H01L21/205

Fターム (56件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA02 , 4G077DA03 , 4G077DA05 , 4G077DA18 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC18 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA01 , 5F045CA07 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ08 , 5F045DQ10 , 5F045EK06 , 5F045EK22 , 5F045GH09

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物半導体結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-033347 出願人：三菱化学株式会社
非極性面III族窒化物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-184380 出願人：日本碍子株式会社
III族窒化物半導体の製造装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-274115 出願人：日立電線株式会社

全件表示

前のページに戻る