特許
J-GLOBAL ID：201003018180193840

窒化物半導体ウェハ、窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
神川 剛

神川 剛 について

, 
太田 征孝

太田 征孝 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-130741
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278313
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】EL発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子100(窒化物半導体素子)は、m面に対してa軸方向にオフ角度を有する面を成長主面10aとするn型GaN基板10と、n型GaN基板10の成長主面10a上に形成された窒化物半導体層20とを備えている。上記n型GaN基板10は、成長主面10aから厚み方向に掘り込まれた凹部2(掘り込み領域3)と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域4とを含んでいる。また、n型GaN基板10上に形成された窒化物半導体層20は、凹部2(掘り込み領域3)に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域5と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域6とを有している。そして、上記発光部形成領域6にリッジ部28が形成されている。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
m面に対してa軸方向にオフ角度を有する面を成長主面とする窒化物半導体基板と、 前記窒化物半導体基板の前記成長主面上に形成された窒化物半導体層とを備え、 前記窒化物半導体基板は、前記成長主面から厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域とを含むことを特徴とする、窒化物半導体ウェハ。
IPC (5件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/16 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01S5/323 610 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 160 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/205
Fターム (57件)：
5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA12 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA10 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA03 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AF06 ,  5F173AF13 ,  5F173AF20 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP42 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR23 ,  5F173AR81 ,  5F173AR91 ,  5F173AR96 ,  5F173MB01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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